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  • 美光南亚发布42nm铜制程2Gb DDR3颗粒
  • 美光南亚发布42nm铜制程2Gb DDR3颗粒

  • 资源来源:
  • HW-PCS.ORG
  • 资源作者:
  • 翰文计算机学习网
  • 人气指数:
  • [3420]
  • 关键词:内存GbDDR3颗粒

      美光和南亚公司今天共同宣布,已经成功开发出采用42nm铜制程工艺的DRAM制造技术,打造出2Gb DDR3内存颗粒

      降低成本、提升性能、降低能耗通常是提升制程工艺的主要目的,美光与南亚此次合作推出的42nm工艺就在降低功耗上有突出表现。使用该工艺打造的额定电压仅为1.35V,低于标准的1.5V,未来制造出的条耗电量有望降低30%。另外,该工艺容量达到2,可以制造最大16GB条。

      美光、南亚的新工艺使用了基于金属铜的制程技术,相比传统的铝制程,铜的延展性和可靠性更好,在更先进工艺中也拥有着成本优势。美光与南亚表示,目前正在开发的下一代3xnm工艺仍将继续采用铜制程技术。

      美光和南亚的42nm工艺2 将于今年第二季开始出货样品,下半年实现量产。

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